Positionsempfindliche Phototransistoren

Während konventionelle PSDs (positionsempfindliche Detektoren) immer auf Photodioden beruhten und eine nicht für alle Anwendungen ausreichende Empfindlichkeit hatten, basiert die neue Serie ES-PSD von SiTek auf Phototransistoren. Damit steigt die Lichtempfindlichkeit um Faktoren. Diese Sensoren eignen sich deshalb für Anwendungen, bei denen nur sehr kleine Lichtintensitäten zur Verfügung stehen oder für augensichere Messsysteme.

2 Typen:

Der Typ 1L10ES hat eine aktive Fläche 10,0 x 2,0 mm² und ist in ein 14poliges DIL-Gehäuse mit Schutzglas eingebaut. Die Positions-Nichtlinearität ist typisch 0,05%, das Rauschen typ. 0,4 pA/(Hz)^1/2, die Empfindlichkeit 3 A/W, die Anstiegszeit typisch 2 µs.

Der 2L10ES hat eine aktive Fläche von 10 x 10 mm². Die Positions-Nichtlinearität ist hier max. 0,8%, das Rauschen 1,3 pA/(Hz)^1/2, die Empfindlichkeit 3 A/W, die Anstiegszeit typ. 4 µs. Er ist in einem vierpoligen 25 x 25 mm² großen Keramikgehäuse mit Schutzglas untergebracht.

Muster und weitere Entwicklungen

Von beiden Typen sind Muster verfügbar. Im Laufe der Weiterentwicklung werden die ES-PSD-Sensoren bald in Ausführungen für den sichtbaren Bereich, für das nahe Infrarot und für UV mit noch höherer Empfindlichkeit erhältlich sein. Sie können in der gleichen Weise an Kundenwünsche angepasst werden wie die Standard-PSDs von SiTek.