LASER COMPONENTS DG Inc. fertigt seit 2004 Silizium Avalanche Photodioden in Phoenix, Arizona. Die komplette Prozesskette ist in eigener Hand. Die Detektoren beruhen auf einer eigens entwickelten Halbleiterstruktur. Das Standardprogramm umfasst Epitaxie und Reach-Through Si-APDs mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 230 µm bis 3,0 mm. Die aus eigener Produktion stammenden Si-Avalanche-Photodioden werden auf 4" Wafern gefertigt und eignen sich besonders zum Erkennen geringer Lichtmengen, bis hin zu einzelnen Photonen. Geliefert werden diese APDs im TO-46 Gehäuse (optional mit Linsenkappe oder integrierten Filtern), TO-5, TO-8 auf Keramiksubstrat oder im TO-37 Gehäuse mit eingebautem thermoelektrischen Kühler. Zu den Hauptanwendungsfeldern zählen Laserradarsysteme und biomedizinische Applikationen.
Die perfekte Lawine
27.02.2006
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